SK 海力士无锡工厂迈入第四代 DRAM 升级新纪元

本站 1 月 16 日消息,根据韩媒《首尔经济日报》报道,SK 海力士计划在 2024 年之前,完成对无锡 C2 工厂的改造,转换升级为第四代(1a)D-ram 工艺,该工艺达到 10nm 级别。

无锡工厂是SK hynix公司的核心生产基地,约占其D-RAM总产量的40%。该厂目前生产10纳米后期级别的第二代(1y)和第三代(1z)D-RAM,属于旧产品线。

据消息称,SK 海力士计划在无锡工厂完成第四代 D-RAM 的一部分工艺,并将晶圆运送到位于韩国总部利川园区内,经过 EUV 加工后再返还至无锡工厂。

由于第四代产品只有一个 D-RAM 层需要采用 EUV 工艺,该公司显然认为成本增加是值得的。

在2013年无锡工厂大火期间,该公司克服了D-RAM生产中断的困难,积累了丰富的经验。

关于无锡工厂的工艺转型,SK 海力士表示无法确认该公司具体的工厂运营计划。

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